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核心参数
- 器件类型：二极管
- 掺杂类型：p型（硼）
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
产品概述
镓仁半导体可提供高质量氧化镓专用长晶设备
技术参数
晶体生长炉设备指标
最高工作温度：1820℃；
高温工作气氛：大气环境（O2浓度 ≈ 21%）；
连续工作时长：≥100h ，确保完成一炉晶体生长；
晶体生长段温度梯度：≈10 ℃/cm；
晶体生长速度：0.2 ~ 4 mm/h。
高温工艺段控温精度：≤ ±0.2 ℃
全温度段控温精度：≤ ±0.3 ℃
杭州镓仁半导体有限公司
1 年
高级会员
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