核心参数
- 器件类型:二极管
- 掺杂类型:p型(硼)
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
产品性能:
◆垂直结构,高效产能,150片/批
◆稳定优良的成膜均匀性,重复性好
◆微环境低氧控制先进技术
◆硅片颗粒度控制稳定,国际标准
◆全自动流程,盒对盒,21盒存储
◆高集成度,完整的工厂MES系统对接
◆符合SECSⅡ/HSMS/GEM等标准
配套工艺:
◆氧化:干氧/湿氧(DCE, HCL)
◆氮、氢退火(快速热退火),烧结、合金,固化等
◆LPCVD工艺:多晶硅,氮化硅,氧化硅(PSG、BPSG等),TEOS,LTO/HTO,SIPOS等。
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