详情介绍vMOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料v应用方向：Ga2O3,GaN,InP,GaAs,InSb,GaInNAs,II-VI等等v从研发到大规模生产v衬底尺寸：3x2inch、1x4inch、1x3inch、1x2inch通过载波交换实现：6x2inch、3x3inch、1x6inchvGa2O3薄膜生长速率：>3um/hvGa2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量≤1.0nmv加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃v反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围

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详情介绍v可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺v兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺v电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C

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详情介绍v兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺v电极的适用温度范围宽，-150°C至400°CvICP源尺寸为65mm，180mm，300mmv应用方向：ØIII-V族材料的刻蚀工艺Ø固体激光器InP刻蚀ØVCSELGaAs/AlGaAs刻蚀Ø射频器件低损伤GaN刻蚀Ø硅Bosch和超低温刻蚀工艺Ø类金刚石（DLC）沉积Ø二氧化硅和石英刻蚀Ø用特殊配置的PlasmaProFA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、裸晶片以及200mm晶圆Ø沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途Ø用于高亮度LED生产的硬掩模

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