根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。

晶圆切割，炉内监控，材料优化等。

日常寿命测量，质量控制和检验
产量：>240块/天或>720片/天
测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟
良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭
质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅
沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)
可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间> 99%
可重复性:> 99.5%
电阻率：可做面扫描，不需经常校准

精密材料研发

铁浓度测定
陷阱浓度测定
硼氧测定
依赖于注入的测量等


特性
无接触和无破坏的半导体检测
特殊“underneath the surface”寿命测量技术
对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度
自动设置硅錠切割标准
空间分辨p/n电导型变换检测