本设备主要用来研究电介质材料的自漏电性。
由于测试条件非常接近实际情况，因此通过这种方式可容易地测试应用于DRAM材料的合适性。

技术说明：

电压脉冲发生器：

• **电压放大: +/- 10 V；

• *小脉冲长度：50 ns；

• **脉冲长度：640 μs。

开关性能：  

• 激励弛豫时间<2ns；

• Ron< 50 Ω；

• Roff >1013 Ω。

高阻抗电流计：

• 输入阻抗：1013 Ω；

• 输入电容：30 fF。