​二氧化钒（VO₂）因在室温附近呈现尖锐的金属-绝缘体转变（IMT）及其衍生的负微分电阻与自持电振荡行为，是强关联氧化物电子学与神经形态计算领域制备振荡器件、神经元与耦合阵列的核心功能材料。长期以来，学界仅能依托宏观电学测试获取VO₂器件电压-时间振荡曲线，器件内部由电场驱动的金属/绝缘两相时空演化、