核心参数
- 磨削方式:干磨
- 结合剂类型:其他
- 金刚石类型:人工金刚石
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
该设备是适用于薄膜(介质层)的全自动CMP抛光设备,用于氧化物、金属、STI、SOI、MEMS等产品的平坦化抛光。设备兼容6/8英寸晶圆,采用多分区气囊加压方式,可实现纳米级精密去除,配置双面刷洗、兆声清洗、甩干&N2吹干功能,实现干进干出的全自动CMP加工。可根据需求选配摩擦力、电涡流、在线红外检测等EPD功能。
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北京特思迪半导体设备有限公司
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