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核心参数
- 磨削方式：干磨
- 结合剂类型：其他
- 金刚石类型：人工金刚石
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
该系列设备是适用于薄膜（介质层）的CMP抛光设备，包括氧化物、金属、STI、SOI、MEMS等产品的平坦化抛光。采用气囊薄膜柔性加压，可实现纳米级精密去除，可选配半自动上下片、摩擦力扭矩EPD功能，兼容性强，占地面积小。
TMP-150TMP-200
晶圆尺寸
4/6英寸
抛光盘规格
OD406 mm
晶圆气囊压力
70-500 g/cm²
保持环压力
70-700 g/cm²
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北京特思迪半导体设备有限公司
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